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SMB8J8.5C-E3/52、SMB8J8.5CA-E3/52对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMB8J8.5C-E3/52 SMB8J8.5CA-E3/52

描述 TVS BIDIR 800W 8.5V 10% SMBDiode TVS Single Bi-Dir 8.5V 800W 2Pin SMB T/R

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AA DO-214AA

工作电压 8.5 V 8.5 V

击穿电压 9.44 V 9.44 V

耗散功率 - 800 W

钳位电压 15.9 V 14.4 V

脉冲峰值功率 800 W 800 W

最小反向击穿电压 9.44 V 9.44 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

封装 DO-214AA DO-214AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free