SMB8J8.5C-E3/52中文资料参数规格
技术参数
工作电压 8.5 V
击穿电压 9.44 V
钳位电压 15.9 V
脉冲峰值功率 800 W
最小反向击穿电压 9.44 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
SMB8J8.5C-E3/52引脚图与封装图
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在线购买SMB8J8.5C-E3/52
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SMB8J8.5C-E3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | TVS BIDIR 800W 8.5V 10% SMB | 搜索库存 |
替代型号SMB8J8.5C-E3/52
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SMB8J8.5C-E3/52 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-214 | 当前型号 | TVS BIDIR 800W 8.5V 10% SMB | 当前型号 |
| 型号： SMB8J8.5CA-E3/52 品牌： 威世 封装： DO-214 | 类似代替 | Diode TVS Single Bi-Dir 8.5V 800W 2Pin SMB T/R | SMB8J8.5C-E3/52和SMB8J8.5CA-E3/52的区别 |