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FDW252P、FDW252P_NL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDW252P FDW252P_NL

描述 P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETP-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSSOP-8 TSSOP

引脚数 8 -

极性 P-Channel P-CH

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 8.8A

额定电压(DC) -20.0 V -

额定电流 -8.80 A -

通道数 1 -

漏源极电阻 12.5 mΩ -

耗散功率 1.3 W -

漏源击穿电压 20 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

上升时间 14 ns -

输入电容(Ciss) 5045pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 600 mW -

下降时间 14 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) -

封装 TSSOP-8 TSSOP

长度 4.4 mm -

宽度 3 mm -

高度 1 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -