额定电压DC -20.0 V
额定电流 -8.80 A
通道数 1
漏源极电阻 12.5 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 8.80 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 5045pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSSOP-8
长度 4.4 mm
宽度 3 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDW252P | Fairchild 飞兆/仙童 | P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDW252P 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TSSOP P-Channel 20V 8.8A 12.5mohms | 当前型号 | P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
型号: FDW252P_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | FDW252P和FDW252P_NL的区别 |