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BUK7520-100A,127、IXTP75N10P、BUK7520-100A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7520-100A,127 IXTP75N10P BUK7520-100A

描述 TO-220AB N-CH 100V 63AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTP75N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) IXYS Semiconductor NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 SOT-78

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.025 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 200 W 360 W -

阈值电压 - 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 63A 75.0 A 63A

上升时间 - 53 ns -

输入电容(Ciss) 4373pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 4373pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 200 W 360 W 200 W

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 200W (Tc) 360000 mW -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 63.0 A

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 SOT-78

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -