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THS4150CDR、THS4150ID、THS4150CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS4150CDR THS4150ID THS4150CD

描述 具有关断模式的 150MHz 全差分输入/输出高压摆率放大器 8-SOIC 0 to 70高速差分I / O放大器 HIGH-SPEED DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS高速差分I / O放大器 HIGH-SPEED DIFFERENTIAL I/O AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 45mA @5V 45mA @5V 45mA @5V

供电电流 17.5 mA 17.5 mA 17.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1020 mW 1020 mW 1.02 W

输入补偿漂移 7.00 µV/K 7.00 µV/K 7.00 µV/K

带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

转换速率 650 V/μs 650 V/μs 650 V/μs

增益频宽积 340 MHz 340 MHz 340 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 4.3 µA 4.3 µA 4.3 µA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

3dB带宽 150 MHz 150 MHz 150 MHz

增益带宽 340 MHz 340 MHz 340 MHz

耗散功率(Max) 1020 mW 1020 mW 1020 mW

共模抑制比(Min) 75 dB 75dB ~ 85dB 75 dB

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

共模抑制比 - 75 dB 75 dB

电源电压(Min) - 4 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free