IRFH5304TRPBF、SIR468DP-T1-GE3、IRFH5304TR2PBF对比区别

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型号 IRFH5304TRPBF SIR468DP-T1-GE3 IRFH5304TR2PBF

描述 INFINEON  IRFH5304TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 79A, 30V, 3.6WVISHAY  SIR468DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷N 通道功率 MOSFET 20A 至 29A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PQFN-8 PowerPAK SO VQFN-8

漏源极电阻 4.5 mΩ 0.0047 Ω 0.0038 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.6 W 50 W 46 W

阈值电压 2.35 V 1 V 2.35 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 79.0 A 40.0 A 22A

上升时间 25 ns - 25 ns

输入电容(Ciss) 2360pF @10V(Vds) - 2360pF @10V(Vds)

下降时间 6.6 ns - 6.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3.6W (Ta) - 3.6W (Ta), 46W (Tc)

针脚数 8 8 -

额定功率 3.6 W - -

通道数 1 - -

产品系列 IRFH5304 - -

额定功率(Max) 3.6 W - -

长度 - - 5 mm

宽度 5 mm - 6 mm

高度 - - 0.81 mm

封装 PQFN-8 PowerPAK SO VQFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17