SIR468DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SIR468DP-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SIR468DP-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SIR468DP-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷 | 搜索库存 |
替代型号SIR468DP-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SIR468DP-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： PowerPAK N-Channel 30V 40A | 当前型号 | VISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷 | 当前型号 |
| 型号： CSD16410Q5A 品牌： 德州仪器 封装： VSON-FET-8 N-Channel 25V 59A | 功能相似 | N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | SIR468DP-T1-GE3和CSD16410Q5A的区别 |
| 型号： IRFH5304TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 79A | 功能相似 | INFINEON IRFH5304TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 79A, 30V, 3.6W | SIR468DP-T1-GE3和IRFH5304TRPBF的区别 |
| 型号： BSC057N03MS G 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-Channel | 功能相似 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | SIR468DP-T1-GE3和BSC057N03MS G的区别 |