ICTE8CHE3_A/C、1N6382-E3/54、ICTE8C-E3/51对比区别

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型号 ICTE8CHE3_A/C 1N6382-E3/54 ICTE8C-E3/51

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW,8.0V 10% AEC-Q101 QualifiedDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/RDiode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管TVS二极管二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作电压 8 V - -

击穿电压 9.4 V - 9.4 V

耗散功率 6.5 W - 1.5 kW

钳位电压 11.6 V - 11.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 DO-201-2 DO-201AA DO-201AA

长度 - - 9.5 mm

高度 - - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅