ICTE8C-E3/51中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 9.4 V
耗散功率 1.5 kW
钳位电压 11.6 V
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 9.4 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
长度 9.5 mm
高度 5.3 mm
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
ICTE8C-E3/51引脚图与封装图
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在线购买ICTE8C-E3/51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICTE8C-E3/51 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk | 搜索库存 |
替代型号ICTE8C-E3/51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ICTE8C-E3/51 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk | 当前型号 |
| 型号： ICTE8C-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 完全替代 | ESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V Bidirect | ICTE8C-E3/51和ICTE8C-E3/54的区别 |
| 型号： ICTE8C-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | ICTE8C-E3/51和ICTE8C-E3/73的区别 |
