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MJD32C、MJD32CT4、MJD32CT4G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD32C MJD32CT4 MJD32CT4G

描述 低电压PNP功率晶体管 Low voltage PNP power transistorSTMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MJD32CT4G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -100 V, 3 MHz, 15 W, -3 A, 10 hFE

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A -3.00 A

针脚数 - 3 4

极性 - PNP, P-Channel PNP

耗散功率 - 15 W 1.56 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V

额定功率(Max) 15 W 15 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 50 10

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 15000 mW 1.56 W

频率 - - 3 MHz

集电极最大允许电流 - - 3A

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.38 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99