PBSS8110S、PBSS8110T、PBSS8110X对比区别

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型号 PBSS8110S PBSS8110T PBSS8110X

描述 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistorNXP  PBSS8110T  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFENXP  PBSS8110X  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 2 W, 1 A, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SPT SOT-23 SOT-89

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 300 mW 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

直流电流增益(hFE) - 150 150

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

最小电流放大倍数(hFE) - - 80

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 2 W

封装 SPT SOT-23 SOT-89

长度 - - 4.6 mm

宽度 - - 2.6 mm

高度 - - 1.6 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃