PBSS8110T
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS8110T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 1A
直流电流增益hFE 150
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Lighting, Industrial, Consumer Electronics, Automotive, Motor Drive & Control, Communications & Networking
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBSS8110T引脚图与封装图 
PBSS8110T引脚图
PBSS8110T封装图
PBSS8110T封装焊盘图
在线购买PBSS8110T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS8110T | NXP 恩智浦 | NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBSS8110T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS8110T 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 300mW | 当前型号 | NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS8110T,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB NPN 0.48W | 完全替代 | NXP PBSS8110T,215 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 100 MHz, 300 mW, 1 A, 150 hFE | PBSS8110T和PBSS8110T,215的区别 |
| 型号： PBSS8110D,115 品牌： 恩智浦 封装： 6TSOP NPN | 类似代替 | TSOP NPN 100V 1A | PBSS8110T和PBSS8110D,115的区别 |
| 型号： PBSS8110S 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | 100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor | PBSS8110T和PBSS8110S的区别 |