IRGB30B60KPBF、STGP30NC60W对比区别
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeIGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V
额定电流 78.0 A 30.0 A
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 370 W 200 W
产品系列 IRGB30B60K -
上升时间 28 ns 12.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 370 W 200 W
下降时间 40 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW
长度 10.66 mm 10.4 mm
高度 16.51 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99