IRGB30B60KPBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRGB30B60KPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 78.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 370 W
产品系列 IRGB30B60K
上升时间 28 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 370 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
IRGB30B60KPBF引脚图与封装图
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在线购买IRGB30B60KPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGB30B60KPBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
替代型号IRGB30B60KPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGB30B60KPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： TO-220-3 600V 78A 370W | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 当前型号 |
| 型号： STGP30NC60W 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 600V 30A 200000mW | 功能相似 | IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 | IRGB30B60KPBF和STGP30NC60W的区别 |