GR281、LH5116-10F、DS1220Y对比区别

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型号 GR281 LH5116-10F DS1220Y

描述 GREENWICH INSTRUMENTS GR281 NVRAM, SRAM, 16Kbit, 2K x 8Bit, Parallel, 100ns, DIPSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP16K Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Sharp (夏普) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 24 24 -

封装 DIP DIP-24 DIP

存取时间 100 ns 100 ns -

内存容量 2000 B 16000 B -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) -20 ℃ - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.75 V - -

时钟频率 - 100 GHz -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

封装 DIP DIP-24 DIP

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Each Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -