LH5116-10F

Sharp(夏普) 电子元器件分类

SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP

SRAM 存储器 IC 16Kb（2K x 8）并联 24-DIP

得捷:
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 16K-Bit 2K x 8 100ns 24-Pin PDIP

Win Source:
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP / SRAM Memory IC 16Kb 2K x 8 Parallel 100 ns 24-DIP

LH5116-10F中文资料参数规格

技术参数

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 16000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

LH5116-10F引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
LH5116-10F	Sharp 夏普	SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP	搜索库存

替代型号LH5116-10F

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： LH5116-10F 品牌： Sharp 夏普封装： DIP 16000B 100ns 24Pin	当前型号	SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin PDIP	当前型号
型号： DS2016-150 品牌：美信封装： DIP 16000B 5V 150ns 24Pin	功能相似	静态随机存取存储器	LH5116-10F和DS2016-150的区别
型号： GR281 品牌：封装：	功能相似	GREENWICH INSTRUMENTS GR281 NVRAM, SRAM, 16Kbit, 2K x 8Bit, Parallel, 100ns, DIP	LH5116-10F和GR281的区别
型号： IDT6116SA45DGB 品牌：艾迪悌封装：	功能相似	Standard SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.6INCH, CERAMIC, DIP-24	LH5116-10F和IDT6116SA45DGB的区别