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CY14B104NA-BA25I、CY14B104NA-BA25IT、CY14B104NA-BA25XI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B104NA-BA25I CY14B104NA-BA25IT CY14B104NA-BA25XI

描述 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times4兆位( 512 K A ?? 256分之8 K A ? 16 )的nvSRAM 4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAMCY14B104 系列 4 Mb (256 kb x 16) 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-48

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 48 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

供电电流 70 mA - 70 mA

存取时间(Max) 25 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3 V - 2.7V ~ 3.6V

耗散功率 - - 1 W

存取时间 - - 25 ns

封装 FBGA-48 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a