供电电流 70 mA
存取时间Max 25 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 FBGA-48
封装 FBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY14B104NA-BA25I | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY14B104NA-BA25I 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: FBGA | 当前型号 | 4兆位( 512K的X二百五十六分之八的K× 16 )的nvSRAM为20 ns , 25 ns的,和45 ns访问时间 4-Mbit 512 K x 8/256 K x 16 nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times | 当前型号 | |
型号: CY14B104NA-BA25IT 品牌: 赛普拉斯 封装: 48-TFBGA | 完全替代 | 4兆位( 512 K A ?? 256分之8 K A ? 16 )的nvSRAM 4-Mbit 512 K Ã 8/256 K Ã 16 nvSRAM | CY14B104NA-BA25I和CY14B104NA-BA25IT的区别 | |
型号: CY14B104NA-BA25XI 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 类似代替 | CY14B104 系列 4 Mb 256 kb x 16 2.7 - 3.6 V MVSRAM - FBGA-48 | CY14B104NA-BA25I和CY14B104NA-BA25XI的区别 | |
型号: CY14B104NA-BA25XIT 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA | 类似代替 | 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM 4 Mbit 512K x 8/256K x 16 nvSRAM | CY14B104NA-BA25I和CY14B104NA-BA25XIT的区别 |