CY7C1318KV18-250BZXC、CY7C1318KV18-250BZXI、CY7C1318KV18-250BZI对比区别

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型号 CY7C1318KV18-250BZXC CY7C1318KV18-250BZXI CY7C1318KV18-250BZI

描述 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst ArchitectureSRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 18 18 18

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

供电电流 - 380 mA -

时钟频率 - 250 MHz -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a