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CY7C1318KV18-250BZI

CY7C1318KV18-250BZI

数据手册.pdf

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1318KV18-250BZI


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IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1318KV18-250BZI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1318KV18-250BZI引脚图与封装图
CY7C1318KV18-250BZI引脚图

CY7C1318KV18-250BZI引脚图

在线购买CY7C1318KV18-250BZI
型号 制造商 描述 购买
CY7C1318KV18-250BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1318KV18-250BZI
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1318KV18-250BZI

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

18兆位的DDR II SRAM双字突发架构 18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1318KV18-250BZXI

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165Pin FBGA Tray

CY7C1318KV18-250BZI和CY7C1318KV18-250BZXI的区别

型号: CY7C1318KV18-250BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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型号: CY7C1318KV18-250BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

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