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TLC25M2ACD、TLC25M2CDR、TLC25M2CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC25M2ACD TLC25M2CDR TLC25M2CD

描述 LinCMOSE双运算放大器 LinCMOSE DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS双路低功耗低压运算放大器 8-SOIC 0 to 70LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 285 µA 285 µA 285 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65dB ~ 91dB 65 dB

输入补偿漂移 1.70 µV/K 1.70 µV/K 1.70 µV/K

带宽 525 kHz 525 kHz 12 kHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 525 MHz 635 kHz 635 kHz

输入补偿电压 900 µV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 525 MHz 635 kHz 635 kHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压(Max) - 16 V 16 V

电源电压(Min) - 1.4 V 1.4 V

电源电压(DC) - - 16.0 V

电源电压 - - 1.4V ~ 16V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15