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70T3319S133BFI8、70V3319S133BCGI、70V3319S133BCI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3319S133BFI8 70V3319S133BCGI 70V3319S133BCI

描述 256K x 18 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGAIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 256 256

封装 CABGA-208 LBGA-256 LBGA-256

电源电压 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

长度 15 mm 17.0 mm 17.0 mm

宽度 15 mm 17.0 mm 17.0 mm

封装 CABGA-208 LBGA-256 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead