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BD138、BD1386STU、BD1386S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD138 BD1386STU BD1386S

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 Bulk

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

极性 PNP - PNP

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 1.5A - 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -1.50 A - -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - -

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99