BD138中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.50 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.25 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
最小包装 500
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BD138引脚图与封装图
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在线购买BD138
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD138 | ON Semiconductor 安森美 | 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor | 搜索库存 |
替代型号BD138
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD138 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-225AA PNP -60V -1.5A | 当前型号 | 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor | 当前型号 |
| 型号： BD138G 品牌： 安森美 封装： TO-225 PNP -60V -1.5A 1250mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR BD138G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新 | BD138和BD138G的区别 |
| 型号： BD1386STU 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin3+Tab TO-126 Rail | BD138和BD1386STU的区别 |
| 型号： BD1386S 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP | 类似代替 | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin3+Tab TO-126 Bulk | BD138和BD1386S的区别 |