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BSO4410、IRF7821、IRF7821PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO4410 IRF7821 IRF7821PBF

描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorSOIC N-CH 30V 13.6A30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 11.1 A 13.6 A 13.6 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.50 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.1 A 13.6 A 13.6 A

上升时间 33.0 ns 2.70 ns 2.7 ns

输入电容(Ciss) 1280pF @25V(Vds) - 1010pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2500 mW

产品系列 - IRF7821 IRF7821

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

下降时间 - - 7.3 ns

工作温度(Max) - - 155 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC