IRF7821PBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF7821PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.6 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7821
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 13.6 A
上升时间 2.7 ns
输入电容Ciss 1010pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 7.3 ns
工作温度Max 155 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRF7821PBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7821PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7821PBF | International Rectifier 国际整流器 | 30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IRF7821PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7821PBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC N-Channel 30V 13.6A | 当前型号 | 30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDS8817NZ 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 30V 15A 7mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8817NZ 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 V | IRF7821PBF和FDS8817NZ的区别 |