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MC1458DR、MC1458DT、MC1458D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC1458DR MC1458DT MC1458D

描述 TEXAS INSTRUMENTS  MC1458DR  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚MC1458 系列 SOP8 高性能 双通道 运算放大器TEXAS INSTRUMENTS  MC1458D  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 18.0 V

供电电流 3.4 mA 2.3 mA 3.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

功耗 - - 100 mW

共模抑制比 70 dB 70 dB 70dB ~ 90dB

上升时间 - - 300 ns

输入补偿漂移 0.00 V/K - 0.00 V/K

带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 500 mV/μs 800 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 1 mV

输入偏置电流 80 nA 30 nA 80 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压(Max) 15 V - 30 V

电源电压(Min) - - 10 V

输出电流 - 35 mA -

耗散功率 - 300 mW -

耗散功率(Max) - 300 mW -

长度 4.9 mm 5 mm 4.9 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 3.91 mm

高度 1.5 mm 1.25 mm 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -