MUN5330DW1T1、MUN5330DW1T1G对比区别

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型号 MUN5330DW1T1 MUN5330DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsNPN/PNP 晶体管，On Semiconductor每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-363 SC-70-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN+PNP NPN, PNP

耗散功率 - 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - 3 @5mA, 10V

额定功率(Max) - 250 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW

长度 - 2.2 mm

宽度 - 1.35 mm

高度 - 1 mm

封装 SOT-363 SC-70-6

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99