IPD090N03LGATMA1、IRLR8729TRPBF、IPD09N03LB G对比区别
型号 IPD090N03LGATMA1 IRLR8729TRPBF IPD09N03LB G
描述 INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 1.8 VTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin(2+Tab) DPAK
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 50.0 A
耗散功率 42 W 55 W 58W (Tc)
输入电容 - - 1.60 nF
栅电荷 - - 13.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 40A 58A 50.0 A
输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 42W (Tc) 55W (Tc) 58W (Tc)
额定功率 42 W - -
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.006 Ω -
极性 N-Channel N-CH -
阈值电压 2.2 V 1.8 V -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
上升时间 - 47 ns -
额定功率(Max) - 55 W -
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
宽度 6.22 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -