AFT26P100-4WSR3、MRF8P26080HSR3、MRF8S26060HSR3对比区别

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型号 AFT26P100-4WSR3 MRF8P26080HSR3 MRF8S26060HSR3

描述 RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 87W, Typ Gain in dB is 15.3 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1826Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700MHz, 14W Avg., 28VSingle W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2620-2690MHz, 15.5W Avg., 28V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5 3

封装 NI-780HS-4 NI-780HS-4 NI-400S-240

频率 2.69 GHz 2.62 GHz 2.69 GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Not Halogen Free

耗散功率 - 140000 mW -

输出功率 22 W 14 W 15.5 W

增益 15.1 dB 15 dB 16.3 dB

测试电流 200 mA 300 mA 450 mA

工作温度(Max) 225 ℃ 225 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 140000 mW -

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电流 10 µA - -

电源电压 28 V - -

高度 - 4.32 mm 4.14 mm

封装 NI-780HS-4 NI-780HS-4 NI-400S-240

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

重量 2953.3 mg - -

ECCN代码 EAR99 - -