MRF8P26080HSR3

NXP(恩智浦) 分立器件

Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700MHz, 14W Avg., 28V

RF Mosfet LDMOS Dual 28V 300mA 2.62GHz 15dB 14W NI-780S-4

得捷:
FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 4-Pin NI-780S T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin Case 465H-02 T/R

MRF8P26080HSR3中文资料参数规格

技术参数

频率 2.62 GHz

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 140000 mW

输出功率 14 W

增益 15 dB

测试电流 300 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 140000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 NI-780HS-4

外形尺寸

高度 4.32 mm

封装 NI-780HS-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MRF8P26080HSR3引脚图与封装图

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在线购买MRF8P26080HSR3

型号	制造商	描述	购买
MRF8P26080HSR3	NXP 恩智浦	Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700MHz, 14W Avg., 28V	搜索库存

替代型号MRF8P26080HSR3

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MRF8P26080HSR3 品牌： NXP 恩智浦封装： NI-780HS-4	当前型号	Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2500-2700MHz, 14W Avg., 28V	当前型号
型号： AFT26P100-4WSR3 品牌：恩智浦封装： NI-780HS-4	类似代替	RF Power Transistor,2496 to 2690MHz, 87W, Typ Gain in dB is 15.3 @ 2690MHz, 28V, LDMOS, SOT1826	MRF8P26080HSR3和AFT26P100-4WSR3的区别
型号： MRF8S26060HSR3 品牌：恩智浦封装： NI-400S-240	功能相似	Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2620-2690MHz, 15.5W Avg., 28V	MRF8P26080HSR3和MRF8S26060HSR3的区别
型号： MRF8S26060HR3 品牌：恩智浦封装： NI-400-240	功能相似	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 2.6GHZ 13.5W NI400	MRF8P26080HSR3和MRF8S26060HR3的区别