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IRF7103TRPBF、SI4946BEY-T1-E3、IRF7103PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7103TRPBF SI4946BEY-T1-E3 IRF7103PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRF7103TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2W, 8-SOIC双N通道60 -V ( D- S) 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFETINFINEON  IRF7103PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 50 V, 130 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 3.7 W 2 W

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 130 mΩ 0.033 Ω 0.13 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2.4 W 2 W

阈值电压 3 V 2.4 V 3 V

输入电容 255pF @25V - 290pF @25V

漏源极电压(Vds) 50 V 60 V 50 V

漏源击穿电压 50 V - 50 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 65.0 A 3A

上升时间 45.0 ns - 8 ns

热阻 50℃/W (RθJA) - 62.5℃/W (RθJA)

输入电容(Ciss) 290pF @25V(Vds) 840pF @30V(Vds) 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2.4 W 2 W

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.7 W 2 W

反向恢复时间 - 25 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 3.00 A - -

产品系列 IRF7103 - -

长度 5 mm 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 1.5 mm 1.55 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -