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IRS2112SPBF、IRS2113STRPBF、IRS2112STRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRS2112SPBF IRS2113STRPBF IRS2112STRPBF

描述 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,高侧和低侧,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 16 16 16

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

额定功率 1.25 W - -

上升/下降时间 75ns, 35ns 25ns, 17ns 75ns, 35ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 600 V - -

输出电流 290.600 mA 2.5 A 0.29 A

通道数 2 - -

耗散功率 1250 mW 1.25 W 1250 mW

下降时间(Max) 65 ns 25 ns 65 ns

上升时间(Max) 130 ns 35 ns 130 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW 1250 mW

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(DC) - 10.0V (min) -

针脚数 - 16 -

上升时间 - 35 ns -

下降时间 - 25 ns -

电源电压(Max) - 20 V -

电源电压(Min) - 10 V -

长度 10.5 mm 10.5 mm -

宽度 7.6 mm 7.6 mm -

高度 2.35 mm 2.35 mm -

封装 SOIC-16 SOIC-16 SOIC-16

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -