IRS2112SPBF
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
主动器件
IRS2112SPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.25 W
上升/下降时间 75ns, 35ns
输出接口数 2
输出电压 600 V
输出电流 290.600 mA
通道数 2
耗散功率 1250 mW
下降时间Max 65 ns
上升时间Max 130 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1250 mW
电源电压 10V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 SOIC-16
外形尺寸
长度 10.5 mm
宽度 7.6 mm
高度 2.35 mm
封装 SOIC-16
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRS2112SPBF引脚图与封装图 
IRS2112SPBF电路图
在线购买IRS2112SPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRS2112SPBF | Infineon 英飞凌 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier | 搜索库存 |
替代型号IRS2112SPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRS2112SPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL | 当前型号 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon International Rectifier | 当前型号 |
| 型号： IRS2110SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V | 类似代替 | INFINEON IRS2110SPBF 双路芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2A输出, 120ns延迟, SOIC-16 | IRS2112SPBF和IRS2110SPBF的区别 |
| 型号： IRS2113SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V | 类似代替 | INFINEON IRS2113SPBF 双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.5A输出, 120ns延迟, SOIC-16 | IRS2112SPBF和IRS2113SPBF的区别 |
| 型号： IRS2113STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 16Pin | 类似代替 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRS2112SPBF和IRS2113STRPBF的区别 |