IPB80N06S2L-H5、STB140NF55T4、STB85NF55T4对比区别
型号 IPB80N06S2L-H5 STB140NF55T4 STB85NF55T4
描述 Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 55.0 V 55.0 V
额定电流 - 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 0.0062 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 300 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 40.0 A
上升时间 23 ns 150 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W -
下降时间 22 ns 45 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
长度 10 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 9.25 mm 9.35 mm 9.35 mm
高度 4.4 mm 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17