SPB35N10、SPI35N10、SPD35N10对比区别

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型号 SPB35N10 SPI35N10 SPD35N10

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3-2 TO-262-3 TO-252-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 35.0 A 35.0 A 35.0 A

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 150W (Tc) 150 W 150 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A 35.0 A 35A

上升时间 63 ns 63 ns 63 ns

输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds) 1570pF @25V(Vds)

下降时间 23 ns 23 ns 23 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

输入电容 - 1.57 nF -

栅电荷 - 65.0 nC -

长度 - 10.2 mm 6.5 mm

宽度 - 4.5 mm 6.22 mm

高度 - 9.45 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3-2 TO-262-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free