SPD35N10
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
SPD35N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 35.0 A
极性 N-CH
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 1570pF @25VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SPD35N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号SPD35N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SPD35N10 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DPAK N-CH 100V 35A | 当前型号 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： SPB35N10 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 100V 35A | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPD35N10和SPB35N10的区别 |
| 型号： SPI35N10 品牌： 英飞凌 封装： TO-262-3 N-CH 100V 35A 1.57nF | 功能相似 | SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor | SPD35N10和SPI35N10的区别 |