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MMFT2N02EL、MMFT2N02ELT1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMFT2N02EL MMFT2N02ELT1

描述 MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6A 20 VOLTSSOT-223 N-CH 20V 1.6A

数据手册 --

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4

封装 SOT-223 TO-261-4

额定电压(DC) - 20.0 V

额定电流 - 2.00 A

极性 - N-CH

耗散功率 - 800mW (Ta)

漏源极电压(Vds) - 20 V

连续漏极电流(Ids) - 1.60 A

上升时间 - 73 ns

输入电容(Ciss) - 580pF @15V(Vds)

下降时间 - 107 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 800mW (Ta)

封装 SOT-223 TO-261-4

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead