MMFT2N02ELT1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 2.00 A
极性 N-CH
耗散功率 800mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.60 A
上升时间 73 ns
输入电容Ciss 580pF @15VVds
下降时间 107 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMFT2N02ELT1引脚图与封装图
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在线购买MMFT2N02ELT1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMFT2N02ELT1 | ON Semiconductor 安森美 | SOT-223 N-CH 20V 1.6A | 搜索库存 |
替代型号MMFT2N02ELT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMFT2N02ELT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-223 N-CH 20V 1.6A | 当前型号 | SOT-223 N-CH 20V 1.6A | 当前型号 |
| 型号： MMFT2N02EL 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | MEDIUM POWER LOGIC LEVEL TMOS FET 1.6A 20 VOLTS | MMFT2N02ELT1和MMFT2N02EL的区别 |