BC558BU、BC559BU、BC558BTAR对比区别

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型号 BC558BU BC559BU BC558BTAR

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor EpitaxialTrans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 500 mW 500 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 110 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99