BC558BU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC558BU中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-92-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC558BU引脚图与封装图
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在线购买BC558BU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC558BU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 搜索库存 |
替代型号BC558BU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC558BU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92-3 PNP | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | 当前型号 |
| 型号： BC559BU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP | 完全替代 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial | BC558BU和BC559BU的区别 |
| 型号： BC558BTAR 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Ammo | BC558BU和BC558BTAR的区别 |