DMN10H120SFG-13、DMN10H120SFG-7对比区别

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型号 DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG-7

描述 DMN10H120SFG-13 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.3 A, Vds=100 V, 8针 POWERDI3333封装MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

通道数 1 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.3 W 2.3 W

阈值电压 1.5 V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 3.4A 3.4A

上升时间 1.8 ns 1.8 ns

输入电容(Ciss) 549pF @50V(Vds) 549pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W

下降时间 2.5 ns 2.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta)

封装 PowerDI-3333-8 PowerDI-3333-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free