DMN10H120SFG-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
DMN10H120SFG-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.4A
上升时间 1.8 ns
输入电容Ciss 549pF @50VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 2.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-3333-8
外形尺寸
封装 PowerDI-3333-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
DMN10H120SFG-7引脚图与封装图
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在线购买DMN10H120SFG-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DMN10H120SFG-7 | Diodes 美台 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC | 搜索库存 |
替代型号DMN10H120SFG-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DMN10H120SFG-7 品牌： Diodes 美台 封装： PowerDI3333-8 N-CH 100V 3.4A | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC | 当前型号 |
| 型号： DMN10H120SFG-13 品牌： 美台 封装： PowerDI3333-8 N-CH 100V 3.4A | 完全替代 | DMN10H120SFG-13 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.3 A, Vds=100 V, 8针 POWERDI3333封装 | DMN10H120SFG-7和DMN10H120SFG-13的区别 |