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AO4842、IRF7313TRPBF、FDS6990AS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO4842 IRF7313TRPBF FDS6990AS

描述 二极管与整流器MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6990AS  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 0.046 Ω 0.017 Ω

极性 N-CH Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 2 W

阈值电压 - 1 V 1.7 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 7.7A 6.50 A 7.50 mA

输入电容(Ciss) 448pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds) 550pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW - 1600 mW

额定功率 1.44 W - -

上升时间 2.7 ns 8.90 ns -

下降时间 2.9 ns - -

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 6.50 A -

产品系列 - IRF7313 -

输入电容 - 650pF @25V -

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99