IRF7313TRPBF
数据手册.pdf
International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF7313TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 0.046 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF7313
阈值电压 1 V
输入电容 650pF @25V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 8.90 ns
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
IRF7313TRPBF引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF7313TRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7313TRPBF | International Rectifier 国际整流器 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V | 搜索库存 |
替代型号IRF7313TRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7313TRPBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC Dual N-Channel 30V 6.5A 29mohms | 当前型号 | MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.029Ω; ID 6.5A; SO-8; PD 2W; VGS +/-20V | 当前型号 |
| 型号： AO4822A 品牌： 万代半导体 封装： SOIC N-CH 30V 8A | 功能相似 | 30V,8.5A,双N沟道MOSFET | IRF7313TRPBF和AO4822A的区别 |
| 型号： AO4842 品牌： 万代半导体 封装： 8-SOIC N-CH 30V 7.7A | 功能相似 | 二极管与整流器 | IRF7313TRPBF和AO4842的区别 |
| 型号： STS5DNF20V 品牌： 意法半导体 封装： SOIC Dual N-Channel 20V 5A 30mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS5DNF20V 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 2.7 V | IRF7313TRPBF和STS5DNF20V的区别 |