锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

TLV2630IDBVR、TLV2630IDR、TLV2630IDBVRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2630IDBVR TLV2630IDR TLV2630IDBVRG4

描述 系列低功率宽带宽单电源运算放大器,具有和不停车 FAMILY OF LOW POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH AND WITHOUT SHUTDOWN系列低功率宽带宽单电源运算放大器,具有和不停车 FAMILY OF LOW POWER WIDE BANDWIDTH SINGLE SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH AND WITHOUT SHUTDOWN1mA/CH, 9MHz, RRO Op Amp with Shutdown 6-SOT-23 -40℃ to 125℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 8 6

封装 SOT-23-6 SOIC-8 SOT-23

输出电流 28mA @5V - -

供电电流 730 µA 730 µA -

电路数 1 1 -

通道数 1 1 1

耗散功率 425 mW - -

共模抑制比 77dB ~ 100dB - -

输入补偿漂移 3.00 µV/K - 3.00 µV/K

带宽 9.00 MHz - 9.00 MHz

转换速率 6.00 V/μs 6.00 V/μs 6.00 V/μs

增益频宽积 9 MHz 9 MHz 9.00 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 250 µV 250 µV -

输入偏置电流 1 pA 1 pA -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) 40 ℃ - -

增益带宽 9 MHz 9 MHz -

耗散功率(Max) 425 mW - -

共模抑制比(Min) 77 dB - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.6 mm - -

高度 1.15 mm - -

封装 SOT-23-6 SOIC-8 SOT-23

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead