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RN4987FE,LF(CT、RN2904FE,LF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RN4987FE,LF(CT RN2904FE,LF

描述 Transistor Silicon NPN-PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin ES Embossed T/R

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 ES-6 SOT-563

耗散功率 - 100 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V

额定功率(Max) 100 mW 100 mW

长度 - 1.6 mm

宽度 - 1.2 mm

高度 - 0.55 mm

封装 ES-6 SOT-563

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free