RN4987FE,LF(CT、RN2904FE,LF对比区别
型号 RN4987FE,LF(CT RN2904FE,LF
描述 Transistor Silicon NPN-PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin ES Embossed T/R
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)
分类 晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 ES-6 SOT-563
耗散功率 - 100 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V 80 @10mA, 5V
额定功率(Max) 100 mW 100 mW
长度 - 1.6 mm
宽度 - 1.2 mm
高度 - 0.55 mm
封装 ES-6 SOT-563
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free