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RN2904FE,LF

RN2904FE,LF

数据手册.pdf
Toshiba(东芝) 分立器件

Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin ES Embossed T/R

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6


得捷:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6


贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN


艾睿:
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type PCT process Bias Resistor built-in Transistor


安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6-Pin ES Embossed T/R


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6


RN2904FE,LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 SOT-563

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RN2904FE,LF引脚图与封装图
RN2904FE,LF引脚图

RN2904FE,LF引脚图

在线购买RN2904FE,LF
型号 制造商 描述 购买
RN2904FE,LF Toshiba 东芝 Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin ES Embossed T/R 搜索库存
替代型号RN2904FE,LF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： RN2904FE,LF

品牌： Toshiba 东芝

封装： SOT-563

当前型号

Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 6Pin ES Embossed T/R

当前型号

型号： RN4987FE,LFCT

品牌： 东芝

封装： ES6

完全替代

Transistor Silicon NPN-PNP Epitaxial Type PCT process Bias Resistor built-in Transistor

RN2904FE,LF和RN4987FE,LFCT的区别