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IRFR220NTRLPBF、IRFR220NTRPBF、IRFR220NTRL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRPBF IRFR220NTRL

描述 N沟道 200 V 43 W 15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AAINFINEON  IRFR220NTRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 200V 5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

额定功率 43 W 43 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.6 Ω 0.6 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 43 W 43 W 43W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 300 pF - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5A 5.00 A

上升时间 11 ns 11 ns 11.0 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 43 W 43 W -

下降时间 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

耗散功率(Max) 43W (Tc) 43W (Tc) 43W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 5.00 A

产品系列 - - IRFR220N

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 200 V -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 6.73 mm 6.5 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.3 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -